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國(guó)產(chǎn)電加熱管 規(guī)格型號(hào):220V /2000W

  • 型   號(hào):
  • 價(jià)   格:10
  • 更新時(shí)間:2023-10-19

國(guó)產(chǎn)電加熱管 規(guī)格型號(hào):220V /2000W電加熱棒 GYY4 AC220V 8kW廠家它綜合了場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)速度快、控制電壓低3
管電流大、反壓高、導(dǎo)通時(shí)壓降小等優(yōu)點(diǎn),是目前頗受歡
電子器件。目前國(guó)外高壓IGBT模塊的電流電壓

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品牌萬(wàn)安電熱電器

國(guó)產(chǎn)電加熱管 規(guī)格型號(hào):220V /2000W電加熱棒 GYY4 AC220V 8kW廠家
一、SRY2管狀油加熱器用途:
SRY2、SRY3型管狀電加熱器用于敞開式或封閉式的油槽中加熱油用,SRY4型管狀電加熱組件用于加熱流動(dòng)或循環(huán)的油,固該型號(hào)加熱器表面負(fù)荷較高,只適用于受熱效果好的油液中使用。
二、規(guī)格和技術(shù)參數(shù):
1.規(guī)格和外形尺寸:見表1和圖1-2
2.工作電壓允許誤差:不大于其額定值的1.1倍。外殼應(yīng)有效接地。
3.工作環(huán)境:相對(duì)濕度不大于95%,無(wú)爆炸性、易燃性和腐蝕性氣體。
4.金屬管材料:10號(hào)鋼。
5.zui高工作溫度:100℃。
6.SRY2型、SRY4型的工作壓力小于0.6MPa。
7.油箱開孔:≥φ65。
三、國(guó)產(chǎn)電加熱管 規(guī)格型號(hào):220V /2000W電加熱棒 GYY4 AC220V 8kW廠家使用維護(hù)及注意事項(xiàng):
1.外形尺寸圖中尺寸“B"必須全部浸入油中以免燒壞組件。被加熱油應(yīng)無(wú)腐蝕性。
2. 熔化瀝青、石蠟等固態(tài)油類時(shí)應(yīng)降低電壓使用,等熔化后再升至額定電壓。以防止熱量集中降低元件使用壽命。
3. 發(fā)現(xiàn)管子表面有結(jié)炭時(shí),必須除盡后再用,以免降低效率,甚至燒壞組件。
4.組件應(yīng)存放在干燥處,若因長(zhǎng)期放置而絕緣電阻降到低于1兆歐時(shí),可在200℃左右的烘箱中干燥若干小時(shí)(或?qū)⒔M件低壓通電數(shù)小時(shí)),即可恢復(fù)絕緣電阻。
電熱管又名發(fā)熱管、加熱管,學(xué)名管狀電加熱器元件,是在金屬管中放入卷線狀的發(fā)熱絲(電阻絲),
它具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,機(jī)械強(qiáng)度高、熱效率高、安全可靠、安裝簡(jiǎn)便、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。廣泛適用于各種硝石槽、水槽、油槽、酸堿槽、易熔金屬熔化爐、空氣加熱爐、干燥爐、干燥箱、熱壓模等裝置。
電熱管是專門將電能轉(zhuǎn)化為熱能的電器元件,由于其價(jià)格便宜,使用方便,安裝方便,無(wú)污染,被廣泛使用在各種加熱場(chǎng)合。
參數(shù)
額定電壓 單相220V、三相380V
表面發(fā)熱功率 ≤3W/CM2
使用溫度 ≤300℃
工作介質(zhì) 礦物油
工作壓力 ≤0.8Mpa
型器件,它綜合了場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)速度快、控制電壓低3
管電流大、反壓高、導(dǎo)通時(shí)壓降小等優(yōu)點(diǎn),是目前頗受歡
電子器件。目前國(guó)外高壓IGBT模塊的電流電壓
2000430V,采用了易于并聯(lián)的NPT工藝技術(shù),第四
品的飽和壓降顯著降低,減少了功率損耗;美國(guó)
產(chǎn)的 WrapIGBT開關(guān)速度 工作頻率 可達(dá)0
柵雙極型晶體管GBT已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速控
換機(jī)電源、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)不停電電源(UPS)、變頻空調(diào)器
床伺服控制等。
IGBT是由 MOSFET與GTR復(fù)合而成的,其圖形符號(hào)
所示。GBT基本結(jié)構(gòu)如圖290(a)所示,是由柵極G、
集電極E組成的
壓控制器件,常
內(nèi)部有保IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)
本護(hù)二極管
電路如圖290(b
G
IGBT的封裝與
E
型大功率三極管
(a)PNP型(b)NPN型(c)帶阻尼NPN型
多種封裝形式
圖2-901GBT的圖形符號(hào)
所示
簡(jiǎn)單來說,IGBT等效成一只由 MOSFT驅(qū)動(dòng)的厚
三極管,如圖2-92(b)所示。N溝道IGBT簡(jiǎn)化等效電
PNP管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻,由N溝道 MOSFET和PNP
合而成,導(dǎo)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極之間驅(qū)動(dòng)電壓la



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